绝缘栅双极晶体管（Iusulated Gate Bipolar Transistor）简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

沁鑫商用电磁炉采用技术领先的德国“Infineon”研发的IGBT模块，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

IGBT模块是沁鑫商用电磁灶能源变换与传输的核心器件，是商用电磁炉的电力电子装置的“CPU”。

目前有用不同材料及工艺制作的IGBT，沁鑫商用电磁炉采用的IGBT模块，克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。

IGBT模块具有电流密度大、输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单等特点。低导通电阻使得沁鑫大功率电磁炉在3秒内达到烹饪温度，高击穿电压，安全工作区大，令电磁炉在瞬态功率较高时不会受损坏。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化，将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。